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ATIs R420 im Detail
GDDR3 der neue Speichertyp
In Zusammenarbeit mit diversen Speicherherstellern
hat ATI im Jahre 2002 die neue GDDR3-Speichertechnologie als
offenen Standard
vorgestellt und spezifiziert. Allerdings stammten die ersten
Grafikkarten mit GDDR3 Speicherchips von nVidia. Mit der Radeon
X800 Pro wird ATI nun auch erstmals auf den neuen Speicherstandard
zurückgreifen.

Die Unterschiede zwischen GDDR3- und GDDR1-Speicher
sind schnell auf den Punkt gebracht. Die "On-Die-Termination"
mit der gesenkten Betriebsspannung von 2,5 Volt (DDR1)/ 2,2
Volt (DDR2) auf 1,9 Volt (Samsung) bzw. 1,8 Volt (Micron)
erlauben weitaus höhere Taktraten von bis zu 800 MHz
(1600 "MHz" DDR).
Zwar haben die Hersteller Samsung und Hynix auch GDDR1 Speichermodule
mit bis zu 700 MHz bzw. 800 MHz gelistet, allerdings sind
die Stückzahlen diese Speicherchips derart gering, dass
hier von keiner Massenverfügbarkeit gesprochen werden
kann. Zudem muss ein vielfacher technischer Aufwand betrieben
werden, um GDDR1-Speicher mit solch hohen Taktraten betreiben
zu können, was natürlich die Preise entsprechend
steigen lässt.
Die derzeitigen GDDR3 Speichermodule von
Samsung und Micron beginnen dagegen erst mit einer Taktrate
von 500 MHz.
Ein Nachteil gegenüber GDDR1 sind die bei GDDR3 deutlich
höheren CAS-Latenzzeiten (CAS Read Latency). Bei gleichem
Takt sind GDDR1-Module in der Praxis also etwas schneller.
Dieser Nachteil wird durch die höheren erzielbaren Taktraten
aber mehr als egalisiert. Aus diesem Grund taktet ATI damals
die Radeon 9800 Pro 256 MByte mit GDDR2 Speicher 10 MHz höher
als die 128 MByte Variante mit 128 MB GDDR1-Speicher.
| Module |
Typ |
VDD |
VDDQ |
Frequenzbereich |
Read Latency |
| 128 MBit |
GDDR1 |
2,5 V |
2,5 V |
183-500 (800) MHz |
3,4,5 |
| 256 MBit |
GDDR1 |
2,5 V |
2,5 V |
183-500 (800) MHz |
3,4,5 |
| 256 MBit |
GDDR2 |
2,5 V |
1,8 V |
400-500 MHz |
5,6,7 |
| 256 MBit |
GDDR3 |
1,8 V |
1,8 V |
500-800 MHz |
5,6,7,8,9 |
An der Haupteigenschaft von dem wenig erfolgreichen
GDDR2-Speicher wurde weitestgehend festgehalten; geändert
wurden lediglich Strobes (Impuls-Schema) und der Receiver-Typ.
Durch den kleineren Fertigungsprozess von 0.11 Micron und
der auf 1,8 Volt reduzierten VDDQ-Spannung werden die Temperaturen
deutlich geringer ausfallen als noch mit GDDR2-Speicher. Zumindest
bei den "kleinen" Modellen geht es ohne zusätzliche
Kühlung, wer allerdings seine Speicherchips übertakten
will, der sollte auch für zusätzliche Kühlkörper
sorgen.
Ende 2004 sollen bereits die Spezifikationen
für GDDR4 festgelegt sein, allerdings ist mit den ersten
Speicherchips nicht vor Ende 2005 zu rechnen. GDDR4 soll Taktraten
von bis zu 1400 MHz (2800 MHz DDR) ermöglichen.
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